(1930 - )
Físico e matemático bielo-russo nascido em Vitebsk, Bielorússia,
uma das então repúblicas constituintes da então União
Soviética, pesquisador em estruturas semicondutoras e, por isso,
vencedor de 1/4 do Prêmio Nobel de Física (2000). Graduado
no Departamento de Eletrônica de V. I. Ulyanov (Lenin) do
Instituto Eletrotécnico de Leningrado, tornou-se membro do Instituto
Físico-Técnico (1953), onde foi pesquisador júnior
(1953-1964) e sênior (1964-1967), chefe do laboratório (1967-1987)
e diretor (1987- ). Doutorou-se em física e matemática (1970)
no Instituto Físico-Técnico Ioffe, em Leningrado, hoje São
Petersburgo, instituição em que permaneceu e passou a dirigir
(1987). Foi eleito membro da Academia de Ciências da USSR (1972),
membro pleno (1979), assumiu a cadeira de optoeletrônica da Universidade
Estatal de Eletrotécnica de São Petersburgo (1973). Nomeado
Deão da Faculdade de Física e Tecnologia Universidade
Técnica de São Petersburgo (1988), tornou-se Vice-Presidente da
Academia de Ciências da USSR (1989) e Presidente do Centro Científico
de São Petersburgo. Entre as muitas honrarias internacionais destacam-se
a Ballantyne Medal of the Franklin Institute (USA, 1971), o Prêmio
Lenin (USSR, 1972), o Hewlett-Packard Europhysics Prize (1978), o Prêmio
Estatal (USSR, 1984), a Gaas Symposium Award e a medalha H. Welker (1987),
o Prêmio Karpinskii (FRG, 1989) e o Prêmio Ioffe
da academia russa de ciências (1996), além de membro honorário
de de muitas outras instituições de ensino e pesquisa nos
Estados Unidos, Inglaterra, Alemanha, Cuba, Rússia, Coréia,
Paquistão, etc. Autor de quatro livros, cerca de 400 artigos e mais
de 50 invenções na tecnologia de semicondutores, na qual
passou a trabalhar (1962), atualmente é o editor-chefe da revista
de física russa Pis'ma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki e membro
editorial da edição russa da revista científica Nauka
i Zhizn. Dividiu a metade do Prêmio Nobel de Física (2000), com o norte-americano Herbert Kroemer, da Universidade
de Santa Barbara, Califórnia, Estados Unidos, pelo desenvolvimento
de estruturas semicondutoras usadas em equipamentos óptico-eletrônicos.
Aplicada a transistores rápidos, a tecnologia de componentes eletrônicos
baseados em estruturas semicondutoras está presente hoje em satélites
e estações de base de telefones móveis. A mesma técnica
permitiu também a criação de diodos de laser que guiam
a informação transmitida por fibras ópticas. Esses
equipamentos são encontrados no dia-a-dia em telefones celulares
e leitores de CD ou códigos de barras. As estruturas semicondutoras
desenvolvidas por eles estão presentes nas estações
de base de telefonia celular. O agraciado com a outra metade foi o norte-americano
Jack Kilby, da Texas Instruments, por sua contribuição na
invenção dos circuitos integrados, os chips.
Fotos copiadas do site da FUNDAÇÃO
NOBEL:
http://www.nobel.se/