Herbert Kroemer
(1928 - )
  Físico germânico nascido na Alemanha e naturalizado norte-americano, pesquisador em estruturas semicondutoras e que dividiu metade do Prêmio Nobel de Física (2000), 1/4 para cada, com bielo-russo Zhores Alferov, do Instituto Físico-Técnico Ioffe de São Petersburgo, por desenvolverem estruturas semicondutoras usadas em equipamentos óptico-eletrônicos. Ambos desenvolveram componentes eletrônicos baseados em estruturas semicondutoras. Doutorou-se em física teórica (1952) pela Universidade de Göttingen e trabalhou em semicondutores em laboratórios germânicos e nos Laboratórios da RCA, em Princeton, EEUU, nos anos 50. Lecionou física nas Universidades de Colorado, em Boulder, e da Califórnia, em Santa Bárbara, onde iniciou um programa de pesquisas em semicondutores (1976). Suas pesquisas têm tido ampla e positiva repercussão no meio científico e tem recebido várias honrarias nacionais e internacionais como o J.J. Ebers Award do Electron Devices Group do IEEE (1973), a Heinrich Welker Medal do International Symposium (1982), o National Lecturer da IEEE Electron Devices Society (1983), o UCSB Faculty Research Lecturer (1985), o Honorary Doctorate in Engineering, Technical University of Aachen, Germany (1985), o Jack Morton Award do IEEE (1986), a Donald W. Whittier Chair em Electrical Engineering (1986), o Alexander von Humboldt Research Award (1994) e o National Academy of Engineering (1997). Entre suas mais citadas publicações: Proposed Class of Heterojunction Lasers, Proc. IEEE, vol. 51, pp. 1782-1783 (1963), Solid State Radiation Emitters, U.S. Patent 3,309,553 (1967), além de outros trabalhos em parceria como com  C. Nguyen e E. L. Hu, em Electronic Interactions at Superconductor-Semiconductor Interfaces, Solid-State Electron., vol. 37, pp. 1021-1025 (1994) e Ballistic Electron Transport and Superconductivity in Mesoscopic Nb-(InAs/AlSb) Quantum Well Heterostructures, 21st Internat. Symposium on Compound Semiconductors, San Diego (1994). Aplicada a transistores rápidos, a tecnologia está presente hoje em satélites e estações de base de telefones móveis. A mesma técnica permitiu também a criação de diodos de laser que guiam a informação transmitida por fibras ópticas. Esses equipamentos são encontrados no dia-a-dia em telefones celulares e leitores de CD ou códigos de barras. As estruturas semicondutoras desenvolvidas por eles estão presentes nas estações de base de telefonia celular. O agraciado com a outra metade foi o norte-americano Jack Kilby, da Texas Instruments, por sua contribuição na invenção dos circuitos integrados, os chips.

Foto copiada do site da FUNDAÇÃO NOBEL:
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